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J-GLOBAL ID：201002281852644402   整理番号：10A0134502

非極性および半極性III族窒化物発光ダイオード: 成果と課題

Nonpolar and Semipolar III-Nitride Light-Emitting Diodes: Achievements and Challenges

著者 (4件)： MASUI Hisashi (Univ. California, CA, USA) ,  NAKAMURA Shuji (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 1  ページ： 88-100  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非極性および半極性InGaN系発光ダイオード(LED)について,研究の歴史的背景と現段階における成果を概観し,さらにデバイス改良のための将来的要件を調査した。非極性および半極性方位の特異性と魅力について,基本的な物性をもとに説明した。LEDの研究報告を収集し,過去の研究努力と今後の展望に関して包括的知見を展開した。非極性および半極性方位の採用により,LED性能の向上だけではなく,偏光発光など,新たな応用分野を開く特異な機能も得られている。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化物 ,  量子閉込め ,  量子井戸 ,  非極性 ,  偏光 ,  圧電気 ,  結晶方位 ,  バンド構造 ,  基板 ,  エピタクシー ,  レビュー
準シソーラス用語： *InGaN

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非極性 ,  半極性 ,  III族 ,  窒化物 ,  発光ダイオード ,  成果