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J-GLOBAL ID：201002281874445128   整理番号：10A0831105

Bi₄Ge₃O₁₂(BGO)非晶質材料におけるエネルギー吸収/結晶化の動力学

Dynamics of energy absorption versus crystallization in Bi₄Ge₃O₁₂ (BGO) amorphous materials

著者 (1件)： POLOSAN S. (National Inst. of Materials Physics, P.O. Box MG-7, Bucharest-Magurele, Ilfov, 077125, ROM)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 45  号： 10  ページ： 1492-1495  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理論的及び実験的研究から,Bi₄Ge₃O₁₂(BGO)材料の固有ルミネセンスはBi³⁺イオン周囲のGeO₄^-四面体により強く影響を受けることが分かった。Bi³⁺遷移以外に,励起スペクトルがBGOバンドギャップを覆い隠した。理論計算はBGO結晶において5.17eVの実験バンドギャップに比べ,5.19eVのバンドギャップを示し,非晶質材料において3.26eVの著しい減少を示した。これはGeO₄^-四面体の高度無秩序化に起因し,これは非晶質材料の屈折率を下げた。励起状態の生成及びそれらのBi³⁺遷移との多重化から,エネルギー吸収がO₂^-イオンのp電子により起り,その後に伝導バンドに近いBi³⁺p電子(励起状態)に移動することが分かった。発光は基底状態への脱励起後に現れる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲルマニウム酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  非晶質 ,  *結晶化 ,  *光吸収 ,  *光ルミネセンス ,  状態密度 ,  励起スペクトル ,  バンドギャップ ,  エネルギー吸収 ,  ガラスセラミック
準シソーラス用語： *ゲルマニウム酸ビスマス

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： BGO ,  非晶質材料 ,  エネルギー吸収 ,  結晶化 ,  動力学