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J-GLOBAL ID：201002281912247696   整理番号：10A1184179

MOCVD及びそれらのキャラクタリゼーションによるエピタキシャルエンジニアードBi4Ti3O12-ベース薄膜の成長

Growth of epitaxial site-engineered Bi4Ti3O12-based thin films by MOCVD and their characterisation

著者 (8件)： FUNAKUBO H ,  SAKAI T ,  WATANABE T ,  OSADA M ,  KAKIHANA M ,  SAITO K ,  NOGUCHI Y ,  MIYAYAMA M
資料名： FERROELECTRIC THIN FILMS XI
ページ： 63-68  発行年： 2003年 
JST資料番号： I20030409  ISSN： 0272-9172  ISBN： 1-55899-685-0  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： その他 (ZZZ)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOCVD ,  キャラクタリゼーション ,  薄膜 ,  成長