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J-GLOBAL ID：201002281928482881   整理番号：10A0686412

AlGaN/GaNのヘテロ構造の酸化と二次元電子ガスの起源

Oxidation and the origin of the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures

著者 (3件)： MIAO M. S. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  WEBER J. R. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  VAN DE WALLE C. G. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 123713  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのAlGaN障壁層表面はトランジスタ特性に対してここまで解明されていない強い影響を及ぼす。事実,AlGaN/GaN界面での二次元電子ガスの源として挙げられている。密度汎関数理論に基づいた計算法を用いて,(常に酸化される)実際のGaNとAlN(0001)面の表面再構成を研究した。各種酸化物被覆率と各種化学量論を持つ多数の構造を調べて,それらの安定性を,電子計数則と酸化物-化学量論整合などの推進機構に関して解釈した。様々な酸化条件下で形成しそうな構造について議論し,これらの構造が厚みと表面障壁高さ変動への電子密度の観察依存性を説明することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  *窒化ガリウム ,  *素子構造 ,  酸化 ,  *二次元電子ガス ,  HEMT ,  被覆層 ,  表面 ,  界面 ,  密度汎関数法 ,  表面再構成 ,  被覆率 ,  化学量論 ,  安定性 ,  計数法 ,  酸化物 ,  厚み ,  高さ ,  電子密度 ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN ,  障壁層 ,  電子計数

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  酸化 ,  二次元電子ガス ,  起源