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J-GLOBAL ID：201002281962746472   整理番号：10A0389645

非水溶液で処理されたZnO薄膜トランジスタ

Non-aqueous solution processed ZnO thin film transistors

著者 (4件)： XIONG Gang (Semiconductor Physics Group, Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge, CB3 0HE, GBR) ,  JONES G.a.c. (Semiconductor Physics Group, Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge, CB3 0HE, GBR) ,  RUNGSAWANG R. (Semiconductor Physics Group, Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge, CB3 0HE, GBR) ,  ANDERSON D. (Semiconductor Physics Group, Cavendish Lab., Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, Cambridge, CB3 0HE, GBR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 14  ページ： 4019-4023  発行年： 2010年05月03日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 亜鉛ネオデカノエートを前駆体とする非水ゾル-ゲル溶液プロセスによって酸化亜鉛をベースにした薄膜トランジスタを実現した。X線回折測定からZnO薄膜はランダムな結晶配向の六方晶系構造をとっていることが明らかになった。原子間力顕微鏡と走査電子顕微鏡によるキャラクタリゼーションから薄膜は平均サイズ45nmの粒子によって最密充填されていることが分かった。デバイスはn-チャンネル増強モードの挙動を示し,飽和移動度は0.95-1.29cm²V^-1s^-1の範囲にあり,ドレイン電流オン-オフ比は10⁷以上,閾値電圧は室温で5.3Vと16.8Vの間であった。これらの結果は簡単で安価な方法で製造された高性能ZnO TFTが電子デバイスに適用可能なことを示している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ゾル-ゲル法 ,  *非水溶液 ,  *薄膜トランジスタ ,  X線回折 ,  六方晶系 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  走査電子顕微鏡 ,  キャリア移動度 ,  閾値 ,  アルキルベンゼン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (2件)： トルエン ,  ビス(2,2-ジメチルオクタン酸)亜鉛

タイトルに関連する用語 (3件)： 非水溶液 ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ