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J-GLOBAL ID：201002282029389967   整理番号：10A0382082

単一電子箱中における過剰消耗 シジフォス抵抗

Excess Dissipation in a Single-Electron Box: The Sisyphus Resistance

著者 (5件)： PERSSON F. (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  WILSON C. M. (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  SANDBERG M. (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  JOHANSSON G. (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  DELSING P. (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 3  ページ： 953-957  発行年： 2010年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きい受容体にトンネル接合により連結された金属小島からなる単一電子箱(SEB)素子のCoulomb障壁により規定されるエネルギー準位は特定のバイアスにおいて縮退する。トンネル速度よりも大きい周波数の交流駆動により周期的に準位交差を誘起した。SEB中で見られる顕著な過剰消耗をシジフォス抵抗と命名し,マスター式を導いた。シジフォス抵抗のゲート依存性を利用した電位測定法を提案した。

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *Coulomb障壁 ,  消耗 ,  電気抵抗 ,  減衰 ,  トンネル接合 ,  粒子 ,  エネルギー準位 ,  依存性 ,  縮退 ,  電子移動速度 ,  遮断周波数 ,  交流電場 ,  準位交差 ,  マスタ方程式 ,  電位計 ,  量子化器 ,  単一電子トンネル効果 ,  Coulombブロッケード
準シソーラス用語： シジフォス抵抗 ,  バイアス依存性 ,  マスター方程式 ,  金属粒子 ,  *単一電子箱 ,  量子箱

分類 (3件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単一電子 ,  消耗