文献

J-GLOBAL ID：201002282088365214   整理番号：10A0823289

横電場でのSiCナノチューブのバンドギャップ操作

Engineering the band gap of SiC nanotubes with a transverse electric field

著者 (2件)： ALFIERI G. (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyotodaigaku-katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN) ,  KIMOTO T. (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyotodaigaku-katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 4  ページ： 043108  発行年： 2010年07月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCナノチューブ’SiCNTs)のバンドギャップに及ぼす強度範囲が0から0.20V/Å中での横電場の影響を密度汎関数理論により調べた。電場の関数としたバンドギャップ幅の減少があり,この現象に対するメカニズム及びナノチューブ直径依存性を解析した。バンドギャップの電場依存性を記述する経験モデルも提案した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *炭化ケイ素 ,  *ナノチューブ ,  バンドギャップ ,  直径 ,  電場効果 ,  密度汎関数法 ,  計算機シミュレーション ,  *バンド構造 ,  分子軌道 ,  モデル
準シソーラス用語： 経験モデル

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電場 ,  SiC ,  ナノチューブ ,  バンドギャップ