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J-GLOBAL ID：201002282128807207   整理番号：10A1324419

分布帰還形トランジスタレーザの設計と動作

Design and operation of distributed feedback transistor lasers

著者 (3件)： DIXON F. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 West Green Street, Urbana ...) ,  FENG M. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 West Green Street, Urbana ...) ,  HOLONYAK N. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Illinois at Urbana-Champaign, 1406 West Green Street, Urbana ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 9  ページ： 093109  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一縦モード分布帰還形トランジスタレーザを実現するために,ソフト光硬化性ナノインプリントリソグラフィーを用いた設計と製造法を検討した。結合モード理論と有効屈折率法を用いて,InGaP/GaAs/InGaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタレーザの上部発光AlGaAs閉込め層中の表面格子を調べるために必要な周期的寸法を正確に決定した。電気的及び光学的素子データから設計法を確認した。分布帰還形素子は連続波レーザ動作をし,-70°Cでの動作でピーク波長λ=959.75nm,閾値電流I_B=13mAを示した。劈開端を有する素子でサイドモード抑圧比>25dBを達成した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *分布帰還形レーザ ,  *リソグラフィー ,  モード理論 ,  屈折率 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ヘテロ接合 ,  連続レーザ ,  バイポーラトランジスタ ,  比率
準シソーラス用語： トランジスタレーザー ,  *ナノインプリントリソグラフィー ,  サイドモード抑圧比

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分布 ,  帰還 ,  トランジスタレーザ ,  設計