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J-GLOBAL ID：201002282179711336   整理番号：10A0134451

相変化メモリデバイスの熱境界抵抗測定

Thermal Boundary Resistance Measurements for Phase-Change Memory Devices

著者 (8件)： REIFENBERG John P. (Stanford Univ., CA, USA) ,  CHANG Kuo-Wei (Intel Corp., CA, USA) ,  PANZER Matthew A. (Stanford Univ., CA, USA) ,  KIM Sangbum (Stanford Univ., CA, USA) ,  ROWLETTE Jeremy A. (Stanford Univ., CA, USA) ,  ASHEGHI Mehdi (Stanford Univ., CA, USA) ,  WONG H.-S. Philip (Stanford Univ., CA, USA) ,  GOODSON Kenneth E. (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 1  ページ： 56-58  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge₂Sb₂Te₅はジュール加熱によって非晶質とfccの間を可逆的に相変化する。相変化メモリ(PCM)の書き込み電流低減は,プログラミングトランジスタの微細化にとっての課題である。プログラミングパルスは相変化に必要な量の1000倍近い。殆どのエネルギーがTiN電極で消費されている。本レターは,TiN/GSTとAL/TiN界面における熱境界抵抗(TBR)のピコ秒熱反射測定結果と,Fcc GSTの30°Cと325°C間の固有熱伝導率測定を報告する。TiN/GST TBRは温度上昇と共に~26から~18m²・K/GWに減少し,Al/Tiは~7から~2.4m²・K/GWに減少した。fccGSTの伝導度は温度上昇で~0.44と~0.59W/m/kとの間で増加した。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  相転移 ,  ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化合物 ,  テルル化物 ,  熱伝導率 ,  計測 ,  温度伝導率 ,  熱反射 ,  *界面 ,  *熱抵抗 ,  *PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： サーモリフレクタンス法 ,  *相変化メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 相変化メモリ ,  境界 ,  抵抗測定