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J-GLOBAL ID：201002282357106263   整理番号：10A0605563

eビーム蒸着CuIn_0.5Ga_0.5Te₂薄膜の構造的,光学的および電気的性質に対するアニーリング効果

Annealing effects on structural, optical and electrical properties of e-beam evaporated CuIn_0.5Ga_0.5Te₂ thin films

著者 (2件)： YILMAZ Koray (Dep. of Physics, Pamukkale Univ., Sci. and Arts Fac., Kinikli Kampusu, 20020 Denizli, TUR) ,  KARAAGAC Hakan (Dep. of Physics, Middle East Technical Univ., 06531 Ankara, TUR)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 21  ページ： 6454-6458  発行年： 2010年08月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学量論比での構成元素の直接反応で合成した単結晶粉末からのeビーム蒸着によりCuIn_0.5Ga_0.5Te₂薄膜を調製した。300および350°Cで蒸着後アニーリングを行なった。エネルギー分散X線分析(EDXA)により膜の組成を決定し,蒸着後アニーリングに従って構成元素の原子百分率に顕著なゆらぎがあることを見出した。X線回折(XRD)は,成長した状態の膜が非晶質の性質をもち,300°Cでのアニーリングに続いて多結晶構造に変化することを示した。300°Cでのアニーリング後にCuIn_0.5Ga_0.5Te₂の主ピークそして2元相Cu₂Teの属する小ピークが出現するが,350°Cでアニールした膜に対しては,(112)面に沿って選択方位をもつCuIn_0.5Ga_0.5Te₂の黄銅鉱型構造の単一相を観測した。X線光電子分光法(XPS)を用いて表面領域上および近傍へのアニーリングの効果を研究した。結果は,アニーリング処理に従って表面組成にかなりの変動があることを示した。200~1100nmの波長範囲で透過および反射測定を行なった。膜の吸収係数が10⁴cm^-1の程度であることを見出し,それぞれ成長した状態の膜と300および350°Cでアニールした膜に対して1.39,1.43そして1.47eVであると決定した。-73から157°Cまでの温度範囲で温度依存伝導率および光伝導率測定を行ない,それぞれ成長した状態の膜そして350°Cでアニールした膜に対して室温抵抗率が約3.4×10⁷および9.6×10⁶(Ωcm)であることを見出した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： エネルギー分散X線分光分析 ,  電子ビーム蒸着 ,  *テルル化物 ,  *ガリウム化合物 ,  銅化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *熱処理 ,  非晶質 ,  *多結晶 ,  *固相合成 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  X線光電子スペクトル ,  光反射 ,  *光透過 ,  *電気抵抗率 ,  蒸着膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ビーム ,  蒸着 ,  薄膜 ,  光学 ,  電気的性質 ,  アニーリング効果