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J-GLOBAL ID：201002282489467087   整理番号：10A0642537

ウェーハ検査・測定・分析《32/22nm以降を睨むウェーハ検査・測定・分析の最前線》3x/2xnm対応の検査装置が登場 ROIモデル確立にVM導入の動き

著者 (1件)： 具志堅浩二
資料名： Electronic Journal  (Electronic Journal)
号： 195  ページ： 76-77  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： L5481A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ウェハ検査・測定・分析技術の中でも微細化に焦点を絞り,半導体メーカおよび装置メーカの取り組みの現状について述べた。微細化の進展はさらに続いており,ダブルパターニング(DP)を採用した3xnmプロセス製品の量産拡大とともに,2xnm世代への移行も始まろうとしている。微細化に伴い,ウェハ検査においては歩留りに影響を与える致命的欠陥(キラー欠陥)の検出感度をいかに向上させるかが課題である。歩留り向上を図りつつ,検査・計測技術への投資を適正に行うために,ROI(Return on Investment)モデルの確立が必要となる。ROIモデル確立にバーチャルメトロロジー(VM)導入の動きが半導体メーカにみられる。

シソーラス用語： *試験装置 ,  *ウエハ【IC】 ,  欠陥検査 ,  生産性向上 ,  光学的測定 ,  電子照射 ,  自動試験 ,  半導体工業 ,  技術進歩
準シソーラス用語： 電子ビーム照射

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ウェーハ ,  検査 ,  分析 ,  検査装置 ,  ROI ,  モデル ,  動き