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J-GLOBAL ID：201002282654145499   整理番号：10A0618740

In過剰InGaN合金における相分離の発展

Evolution of phase separation in In-rich InGaN alloys

著者 (4件)： PANTHA B. N. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA) ,  LI J. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA) ,  LIN J. Y. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA) ,  JIANG H. X. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech Univ., Lubbock, Texas 79409, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 23  ページ： 232105  発行年： 2010年06月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlN/サファイアテンプレート上に金属化学蒸着法で成長させたIn_xGa_1-xN合金(x≒0.65)について,相分離の発展を探査した。その結果,成長速度G_Rは鍵を握るパラメータであり,均一で単相のInGaN合金の成長には,それが十分大きい(>0.5μm/h)ことが必要であることが分かった。著者らの結果は,相分離の抑制には,熱平衡から遥かに離れた条件が必要であることを示した。構造特性および電気特性はともに,G_Rの増大と共に有意な改善を示すことが分かった。この材料品質での改善は,高いG_Rによる相分離の抑制に起因すると結論した。単相エピ層の最大厚さt_max(つまり,相分離を起こさずに成長できる最大厚さ)を,in situ干渉パターンモニタリングを介して決定し,それがG_Rの関数であることが分かった。G_Rが増大すると,t_maxも増大した。In_0.65Ga_0.35N合金に対するt_maxの最大値は,G_R>1.8μm/hにおいて,約1.1μmであることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *半導体薄膜 ,  MOCVD ,  基板 ,  窒化アルミニウム ,  サファイア ,  多層 ,  型 ,  *相分離 ,  成長速度 ,  実験 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  エピタクシー ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： in situ実験 ,  テンプレート【型】 ,  *窒化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  合金 ,  相分離 ,  発展