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J-GLOBAL ID：201002282713795311   整理番号：10A0881890

InGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系試料の極低温伝導面内異方性と構造解析

著者 (5件)： WEI Wei (北陸先端科学技術大学院大 ナノセ) ,  森本幸作 (北陸先端科学技術大学院大 ナノセ) ,  岩瀬比宇麻 (北陸先端科学技術大学院大 ナノセ) ,  赤堀誠志 (北陸先端科学技術大学院大 ナノセ) ,  山田省二 (北陸先端科学技術大学院大 ナノセ)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 65  号： 2 第4分冊  ページ： 668  発行年： 2010年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  多層 ,  *二次元電子ガス ,  極低温 ,  *電気伝導 ,  異方性 ,  *構造解析 ,  スピン-軌道相互作用 ,  量子井戸 ,  移動度 ,  X線回折 ,  界面 ,  歪 ,  モザイク性
準シソーラス用語： *InAlAs ,  二層 ,  面内異方性 ,  Rashba効果 ,  輸送特性

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体プラズマ  (BM02160W) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  構造決定法・回折結晶学一般  (BK01010X)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  2次元電子ガス ,  試料 ,  極低温 ,  伝導 ,  面内異方性 ,  構造解析