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J-GLOBAL ID：201002282721574553   整理番号：10A0732937

効率の良いスピン注入器および検出器への応用を目指した適当な抵抗-面積積を持つ非縮退n-Ge上の単結晶CoFe/MgOから成るトンネルコンタクト

Single crystalline CoFe/MgO tunnel contact on nondegenerate Ge with a proper resistance-area product for efficient spin injection and detection

著者 (6件)： JEON Kun-rok (Dep. of Physics and Center for Nanospinics of Spintronic Materials, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. ...) ,  MIN Byoung-chul (Center for Spintronics Res., Korea Inst. of Sci. and Technol. (KIST), Seoul 136-791, KOR) ,  LEE Hun-sung (Dep. of Physics and Center for Nanospinics of Spintronic Materials, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. ...) ,  SHIN Il-jae (Center for Spintronics Res., Korea Inst. of Sci. and Technol. (KIST), Seoul 136-791, KOR) ,  PARK Chang-yup (Dep. of Physics and Center for Nanospinics of Spintronic Materials, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. ...) ,  SHIN Sung-chul (Dep. of Physics and Center for Nanospinics of Spintronic Materials, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol. ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 2  ページ： 022105  発行年： 2010年07月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で作動する効率の良いスピン注入器および検出器への応用を目指して,非縮退n-Ge上に形成したbcc構造を持つ単結晶CoFe/MgOから成るトンネルコンタクトにおける適当な抵抗-面積積について報告する。厚さが1.5,2.0,および2.5nmの非常に薄いMgO膜を含む単結晶のCoFe(5.0nm)/MgO/n-Ge(001)から成るトンネルコンタクトの電気的特性を,I-V-TおよびC-V測定によって研究した。大変興味深いことに,厚さが2.0nmのMgO膜を含む結晶から成るトンネルコンタクトはOhm特性を示し,±0.25VにおけるRA積は5.20×10^-6/1.04×10^-5Ωm²であることが分かった。この値はスピン注入器および検出器として理論的に必要な条件を満たすことが分かった。得られた結果から,CoFeとn-Geの間にMgO層が存在すると,Schottkyピニングパラメータが増大し,また電荷中性準位がシフトすることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 注入 ,  *キャリア注入 ,  電気抵抗 ,  面積 ,  *ゲルマニウム ,  N型半導体 ,  単結晶 ,  *コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  磁性薄膜 ,  *酸化マグネシウム ,  誘電体薄膜 ,  *MOS構造 ,  トンネル接合 ,  室温 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  容量電圧特性 ,  Ohm接触 ,  Schottky障壁 ,  スピントロニクス ,  ピン止め
準シソーラス用語： *スピン注入 ,  スピン検出

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (11件)： スピン注入 ,  検出器 ,  応用 ,  面積 ,  積 ,  縮退 ,  Ge ,  単結晶 ,  MgO ,  トンネル ,  コンタクト