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J-GLOBAL ID：201002282744475080   整理番号：10A0518093

受動ナノクロスバーメモリ用の相補型抵抗スイッチ

Complementary resistive switches for passive nanocrossbar memories

著者 (6件)： LINN Eike (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  LINN Eike (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  ROSEZIN Roland (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  KUEGELER Carsten (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  WASER Rainer (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  WASER Rainer (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 9  号： 5  ページ： 403-406  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来の情報技術に必要なエネルギー効率向上が見込めるメムリスタ(抵抗記憶素子)の受動クロスバーアレイの問題点の解決を目的として,1個の相補型抵抗スイッチ(CRS)への2個の二極メムリスタ素子の逆直列的な接続によってスニーク経路の欠点を解決できることを報告した。Pt電極/固体電解質/酸化性Cu電極構成の二極メムリスタ素子A,逆構成の素子B,及び両者を合体したCRSそれぞれのI-V特性の概念を示した(両者の抵抗状態とスイッチング電圧は同一と仮定)。Pt/SiO₂/GeSe/Cu(各30/3/25/70nm厚)2個を直列交差接合した素子を作製,I-V特性を測定し,シミュレーションによる予測特性と厳密に一致することを確認した。また,CRSセルの電圧パルスに対する電流パルスのシミュレーションを行い,上記のCRSによる実験で予測読取/書込挙動とよく一致することを確認した。次に,単一メムリスタと比べてのCRSの主要な利点はスニーク経路の防止であることを可測正規化読取電圧許容範囲の比較によって示した。

シソーラス用語： *スイッチ ,  *電気抵抗 ,  *記憶素子 ,  白金電極 ,  二酸化ケイ素 ,  固体電解質 ,  ゲルマニウム化合物 ,  セレン化物 ,  銅 ,  接合 ,  *計算機シミュレーション ,  *実験 ,  *電流電圧特性 ,  電圧 ,  電流 ,  データ読取 ,  データ書込 ,  バイパス ,  防止
準シソーラス用語： スニーク経路 ,  *メムリスタ ,  交差接合 ,  *相補型抵抗スイッチ ,  電圧パルス ,  電流パルス

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)