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J-GLOBAL ID：201002282771690600   整理番号：10A0611247

動的モード過渡的測定によるMOSFET損傷の高感度追跡

High-Sensitivity Tracking of MOSFET Damage Using Dynamic-Mode Transient Measurements

著者 (3件)： PASSMORE Lucas J. (Penn State Univ., PA, USA) ,  AWADELKARIM Osama O. (Penn State Univ., PA, USA) ,  CUSUMANO Joseph P. (Penn State Univ., PA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement  (IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement)
巻： 59  号： 6  ページ： 1734-1742  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： C0232A  ISSN： 0018-9456  CODEN： IEIMAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： U型金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に階段状ゲート電圧を加えたときの,損傷の測定を論じた。過渡的なドレーン-ソース電流I_ds応答を主成分分析(PCA)することにより,Fowler-Nordheimストレス印加による損傷を感度高く測定できることを示した。従来のV_thの準静的測定法に比べて,本方法では感度が1桁向上することを実証した。開発した試験装置と手順を使うことにより,MOSFETの損傷を高感度で追跡し,その寿命を予測できると述べた。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *欠陥検査 ,  損傷 ,  電流 ,  時間依存性 ,  主成分分析 ,  電気測定 ,  寿命予測 ,  過渡応答 ,  信頼性
準シソーラス用語： ドレイン電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOSFET ,  損傷 ,  高感度 ,  追跡