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J-GLOBAL ID：201002283018879314   整理番号：10A0117882

電場誘起金属-絶縁体転移を示すLa_0.5Ca_0.5MnO₃薄膜の誘電率および伝導率スペクトル

Dielectric permittivity and conductivity spectra of La_0.5Ca_0.5MnO₃ thin films presenting electric field induced metal-insulator transition

著者 (7件)： VILLAFUERTE M. (Laboratorio de Fisica del Solido, Dto. de Fisica, Universidad Nacional de Tucuman, ARG) ,  VILLAFUERTE M. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), ARG) ,  BRIDOUX G. (Laboratorio de Fisica del Solido, Dto. de Fisica, Universidad Nacional de Tucuman, ARG) ,  HELUANI S.p. (Laboratorio de Fisica del Solido, Dto. de Fisica, Universidad Nacional de Tucuman, ARG) ,  TIRADO M. (Laboratorio de Propiedades Dielectricas de la Materia, Dto. de Fisica, Universidad Nacional de Tucuman, ARG) ,  GROSSE C. (Laboratorio de Propiedades Dielectricas de la Materia, Dto. de Fisica, Universidad Nacional de Tucuman, ARG) ,  GROSSE C. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), ARG)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 8  ページ： 2261-2265  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)シリコン基板上にパルスレーザ蒸着した多結晶La_0.5Ca_0.5MnO₃薄膜の電気特性を報告し,議論した。電圧と厚さに依存する電気誘起金属-絶縁体転移を150K近傍において見出した。低温では,膜伝導率は非Ohm性であり,適度な電界が準安定な低抵抗状態への抵抗率スイッチングを誘起した。インピーダンス分光測定も,膜の誘電率と伝導率を決定し,独特な金属半導体界面パラメータを評価するために実施した。得られた結果は,電圧を印加しても強磁性金属領域の割合は変化せず,低温金属絶縁体転移の機構と伝導特性は電界によって活性化されたキャリアの増強された移動度による接続経路の出現であることを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ランタン化合物 ,  カルシウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  酸素酸塩 ,  誘電体薄膜 ,  *レーザ蒸着 ,  ウエハ【IC】 ,  多結晶 ,  *金属-絶縁体転移 ,  電場効果 ,  誘電率 ,  電気伝導率 ,  スペクトロスコピー ,  キャリア移動度 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： インピーダンス分光法 ,  シリコン基板 ,  亜マンガン酸塩 ,  強磁性絶縁体 ,  電荷秩序

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電場 ,  誘起 ,  金属-絶縁体転移 ,  薄膜 ,  誘電率 ,  伝導率 ,  スペクトル