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J-GLOBAL ID:201002283085162513   整理番号:10A0159051

5.表面改質 5.1 イオン注入法

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資料名:
巻: 61  号:ページ: 174-176  発行年: 2010年02月01日 
JST資料番号: G0441B  ISSN: 0915-1869  CODEN: HYGIEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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表面改質としてのイオン注入について解説した。イオン注入は半導体の製造における重要工程として確立された技術であるが,大電流を出力できる装置の出現により,金属,セラミックスを初めとした種々の材料の改質に利用されるようになってきた。イオン注入装置は,イオン源(イオン化方式には高周波放電,低電圧アーク放電等がある),加速器,イオンビーム質量分離器,中性ビーム分離器,ビーム偏向電極およびターゲット室で構成される。この構成の中で,質量分離器を用いない装置が工業的に用いられるようになってきている。イオン注入の性質として改質深さが浅い(<1μm)ことから真空蒸着膜を併用したり,雰囲気ガスを成膜材料としてイオンビーム支援成膜を行なう技術が開発されている。応用例としては,金属・セラミックスへの適用には触れず,高分子材料,特に生分解性樹脂への適用例を示した。
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分類 (1件):
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放射線による構造と物性の変化一般 
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