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J-GLOBAL ID：201002283138989059   整理番号：10A0899540

ガラス内部からのシリコン(Si)析出及びSi構造体形成

Deposition and structure formation of semiconductor silicon in glass

著者 (1件)： 三浦清貴 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 日本板硝子材料工学助成会成果報告書(CD-ROM)  (Nippon Sheet Glass Foundation for Materials Science and Engineering Report (CD-ROM))
巻： 28  ページ： 244-248  発行年： 2010年 
JST資料番号： X0948B  ISSN： 1883-3128  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 金属Alを添加した珪酸塩ガラス内部にフェムト秒レーザーを集光照射することにより,照射部にSiが局所的に析出することを確認した。また照射後の熱処理により,析出Siの成長および形状制御が可能であることも確認した。以下のメカニズムによりSiが析出することを明らかにした。金属Alの添加により,珪酸塩ガラス内部に酸素欠陥やSiクラスターが生成し,フェムト秒レーザー照射によって,照射部は高温・高圧になり,それに伴って衝撃波が発生・伝播する。結果としてSi元素とAl元素とが照射領域中心に集まるとともに,Si-O結合がレーザーのエネルギーによって切断されOが酸素欠陥に捕捉されることで,Siが凝集析出したと考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム ,  添加 ,  *ケイ酸塩ガラス ,  パルスレーザ ,  フェムト秒 ,  集光 ,  *レーザ照射 ,  *ケイ素 ,  *析出 ,  *熱処理 ,  結晶成長 ,  点欠陥 ,  酸素 ,  空格子点 ,  凝集 ,  *構造体 ,  クラスタ ,  *フェムト秒レーザ
準シソーラス用語： 酸素欠陥

分類 (2件)： ガラスの製造  (YC02020O) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

引用文献 (5件)：

• M. Sakakura, and M. Terazima: Opt. Lett.29( 2004)1548.
• M. Sakakura, and M. Terazima: Phys. Rev. B.71( 2005)024113.
• M. Sakakura, M. Terazima, K. Miura, and K. Hirao, The Review of Laser Engineering, 35, No.2( 2007)109.
• D. Walker and S. E. DeLong, Contrib. Mineral. Petrol., 79, 231(1982).
• S. Kanehira, K. Miura, and K. Hirao, Appl. Phys. Lett.., 93( 2008)023112-1.

タイトルに関連する用語 (5件)： ガラス ,  シリコン ,  Si ,  析出 ,  構造体