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J-GLOBAL ID:201002283358401150   整理番号:10A0969719

アンチドットのnmサイズの正方アレイを有する超伝導Nb薄膜における強磁場ボルテックス整合効果

High field vortex matching effects in superconducting Nb thin films with a nanometer-sized square array of antidots
著者 (5件):
資料名:
巻: 108  号:ページ: 053906  発行年: 2010年09月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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直径17nm,間隔50nmのアンチドットの規則的正方アレイを含むNb薄膜を,比較的単純なリソグラフィー過程を用いて製造した。電気輸送測定で得た臨界電流密度jc(H)は,予測されたμ0H1=0.830Tおよびμ0H1/2=0.415T整合磁場の直上で顕著な極大を有する整合性効果を,2.3Kの低温に至るまで示した。jc(H)と極大位置との挙動は,時間依存Ginzburg-Landauモデルの枠内で計算した結果と矛盾しなかった。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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金属系超伝導体の物性  ,  金属薄膜 

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