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J-GLOBAL ID：201002283409503610   整理番号：10A0389570

銅箔上にゾルゲル法で作製したBa_0.7Sr_0.3(Ti_1-xZr_x)O₃薄膜の微細構造と電気特性

Microstructure and electrical properties of Ba_0.7Sr_0.3(Ti_{1 - x} Zr _x )O₃ thin films prepared on copper foils with sol-gel method

著者 (7件)： FAN Yanhua (Inst. of Marine Materials Sci. and Engineering, Shanghai Maritime Univ., Shanghai 200135, CHN) ,  YU Shuhui (Shenzhen Inst. of Advanced Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shenzhen 518067, CHN) ,  SUN Rong (Shenzhen Inst. of Advanced Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shenzhen 518067, CHN) ,  LI Lei (Shenzhen Inst. of Advanced Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shenzhen 518067, CHN) ,  YIN Yansheng (Inst. of Marine Materials Sci. and Engineering, Shanghai Maritime Univ., Shanghai 200135, CHN) ,  YIN Yansheng (Inst. of Materials Sci. and Engineering, Ocean Univ. of China, Qingdao 266100, CHN) ,  DU Ruxu (Shenzhen Inst. of Advanced Technol., Chinese Acad. of Sciences, Shenzhen 518067, CHN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 14  ページ： 3610-3614  発行年： 2010年05月03日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ba_0.7Sr_0.3(Ti_1-xZr_x)O₃(x=0,0.1,0.2)(BSZT)薄膜を銅箔上にゾルゲル法で作製した。膜は基板酸化を回避しペロブスカイト構造成長を許容するように低酸素圧の雰囲気中でアニールした。X線回折結果は,安定な多結晶ペロブスカイト相を示し,BSZTの回折ピークはZr含有量増大とともに小2θ側へシフトした。走査電子顕微鏡像は,BSZT薄膜の結晶粒サイズがZr含有量増大とともに減少することを示した。高解像度透過型電子顕微鏡は膜中の明確な格子とドメイン構造を示した。BSZT薄膜の誘電ピークは,Zr含有量の増大と共に広がった。Ba_0.7Sr_0.3(Ti_1-xZr_x)O₃(x=0.1)薄膜の漏れ電流密度は,印加電圧範囲の全てにわたり最低であった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バリウム化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  チタン酸塩 ,  ジルコニウム酸塩 ,  *強誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  *ゾル-ゲル法 ,  銅箔 ,  薄膜成長 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  多結晶 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  結晶粒度 ,  誘電率 ,  *残留分極 ,  漏れ電流 ,  透過型電子顕微鏡

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 銅箔 ,  ゾルゲル法 ,  作製 ,  O3 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  電気特性