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J-GLOBAL ID：201002283473798071   整理番号：10A0617311

2つのダイポール結合ナノ磁石の共振スイッチング

Resonant Switching of Two Dipole-Coupled Nanomagnets

著者 (3件)： CHEREPOV S.S. (Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE) ,  KORENIVSKI V. (Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE) ,  WORLEDGE D.C. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 46  号： 6  ページ： 2112-2115  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2つの近接したダイポール結合ナノ磁石で形成されているスピンフロップ磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の記憶層は,基底状態においても磁化容易軸と外れた外部準静的磁界に対して極めて安定である。このスピンフロップトンネル接合のスピン挙動をマイクロ波スペクトルと微小磁石モデルを用いて検討した。系の光スピン共振に対応するGHzパルス磁界を印加してダイポール結合ナノ磁石の共振スイッチング現象を観測した。共振スピン反転を発生させるAC磁界は代表的な準静的飽和磁界に較べて1オーダ小さく,低磁界(>50Oe)領域では,共振周波数においてのみスイッチングを生じ,それ以外の周波数では極めて僅かであった。共振励起状態では,スピンフロップ二重層の実効活性化エネルギーが数分の1に低下するので,メモリ設計においてスイッチング磁界を低減するのに利用できる。

シソーラス用語： 永久磁石 ,  共振 ,  振動モード ,  スイッチング ,  双極子磁場 ,  *RAM【メモリ】 ,  電子スピン ,  周波数依存性 ,  スピンフロップ
準シソーラス用語： ナノ磁石 ,  磁場依存性

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダイポール ,  ナノ磁石 ,  共振 ,  スイッチング