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J-GLOBAL ID：201002283516512010   整理番号：10A1126413

40~60V自動車応用用狭ピッチNチャンネル超接合UMOSFET

Narrow-Pitch N-Channel Superjunction UMOSFET for 40-60V Automotive Application

著者 (4件)： KAWASHIMA Yoshiya (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  INOMATA Hisao (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  MURAKAWA Koichi (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  MIURA Yoshinao (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 22nd  ページ： 129-132  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多重注入により形成したサブミクロンp型領域を用いて,超低オン抵抗40~60V超接合(SJ)UMOSFET(SJ-UMOS)を開発した。この新開発のSJ-UMOSにより,ボロンの高エネルギー多重イオン注入により作製したp型領域を用いた,最先端の最小ピッチSJ構造を設計した。トレンチコンタクト構造の導入により,広範囲のp型電荷条件で超高アバランシェ耐性を得ることを実証した。これにより,電荷平衡条件でアバランシェ保証素子の設計を可能にし,その素子は,従来のSJ-UMOSの性能を制限した,オン抵抗(R_SP)と破壊電圧(V_B)間の最良のトレードオフ関係を示した。44.8Vと61.0VのV_Bで各々9.1mΩ・mm₂と16.1mΩ・mm₂(V_GS=10V)の記録的な低オン抵抗を得ることを示した。

シソーラス用語： ピッチ【機械要素】 ,  *自動車 ,  *半導体接合 ,  *MOSFET ,  *オン抵抗 ,  イオン注入 ,  ホウ素 ,  サブミクロン加工 ,  P型半導体 ,  *絶縁破壊 ,  *電子なだれ ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 超接合

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自動車 ,  応用 ,  狭ピッチ ,  Nチャンネル ,  超接合