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J-GLOBAL ID：201002283664361102   整理番号：10A1032089

亜鉛膜上のSnドープZnOナノワイヤの電気化学合成とそれらの電界放出の研究

Electrochemical synthesis of Sn doped ZnO nanowires on zinc foil and their field emission studies

著者 (3件)： SHEINI Farid Jamali ,  JOAG Dilip S. ,  MORE Mahendra A.
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 519  号： 1  ページ： 184-189  発行年： 2010年10月29日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnドープZnO膜を陰極電着によりZn膜上に得た。X線回折分析の結果,ウルツ鉱型ZnOのみの形成が明らかになった。走査電子顕微鏡像は直径が150nm以下で長さが数ミクロンのランダムに配向したZnOナノワイヤの形成を示した。エネルギー分散スペクトルから見積もったSnの相対的原子パーセントは10及び40分間堆積し,ポストアニールしたZnO膜に対してそれぞれ0.5及び2.0であった。SnドープZnOナノワイヤの電界放出特性は電場閾値及び放出電流安定性の点でかなりよいものであった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 亜鉛 ,  基板 ,  スズ ,  ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  *ナノワイヤ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *電着 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  *電界放出 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  焼なまし
準シソーラス用語： 走査電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 亜鉛 ,  Sn ,  ドープ ,  ZnOナノワイヤ ,  電気化学合成 ,  電界放出 ,  研究