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J-GLOBAL ID：201002283705050591   整理番号：10A0700347

水素-末端を有するシリコン上の有機単分子膜の長期安定性と電気特性

Long-Term Stability and Electrical Performance of Organic Monolayers on Hydrogen-Terminated Silicon

著者 (3件)： POPOFF Richard T. W. (Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN) ,  ASANUMA Hidehiko (Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN) ,  YU Hua-Zhong (Simon Fraser Univ., British Columbia, CAN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 114  号： 24  ページ： 10866-10872  発行年： 2010年06月24日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-型シリコン(111)に共有結合を介して結合した2種類の有機単分子層,C₆H₅(CH₂)₃-Si≡(C₃Ph-Si≡)とCH₃(CH₂)₁₁-Si≡(C₁₂-Si≡)の酸化に対する経時的安定性について研究した。このようにして形成された水銀|単分子層|n-Si接合の電気的性能とこの長期安定性の間の相関を調べた。単分子膜によって修飾されたシリコンを空気中で放置すると,物理吸着した酸素(O_ad)とシリコンに結合した酸素含有種(SiO_x)に対応する高分解能XPS分析によるO_1sピーク強度が経時的に増加したが,炭素含有量(C_1sピーク)は一定であった。エージングとともに<Hg|C₁₂-Si≡>と<Hg|C₃Ph-Si≡>での電流は著しく増加し,その傾向は前者の方が大きい。O_1s(O-Si)/Si_2pピーク面積比にもとづく酸素含有率は前者の方が少ない。以上の結果から,分子ダイオード接合の電気特性が修飾されたシリコンの酸化によって制御できることが示唆される。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *単分子層 ,  *安定性 ,  *電気特性 ,  半導体金属接合 ,  *水銀 ,  物理吸着 ,  X線光電子分光法 ,  ヘテロ接合 ,  *有機ケイ素化合物 ,  N型半導体 ,  *基板
準シソーラス用語： *長期安定性

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

物質索引 (2件)： 1-フェニル-3-シリルプロパン ,  ドデシルシラン

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素 ,  シリコン ,  単分子膜 ,  長期安定性 ,  電気特性