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J-GLOBAL ID：201002283710810910   整理番号：10A0847727

重イオンを注入した三元ZnO系酸化物中の損傷蓄積に及ぼす組成の影響

Effect of composition on damage accumulation in ternary ZnO-based oxides implanted with heavy ions

著者 (5件)： AZAROV A. Yu. (Dep. of Physics, Univ. of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, NO-0316 Oslo, NOR) ,  SVENSSON B. G. (Dep. of Physics, Univ. of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, NO-0316 Oslo, NOR) ,  HALLEN A. (KTH-ICT, Royal Inst. of Technol., Electrum 229, SE-164 40 Kista-Stockholm, SWE) ,  DU X. L. (Inst. of Physics, The Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  KUZNETSOV A. Yu. (Dep. of Physics, Univ. of Oslo, P.O. Box 1048 Blindern, NO-0316 Oslo, NOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 3  ページ： 033509  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシー(MBE)で成長させたウルツ鉱型Mg_xZn_1-xO(x≦0.3)と有機金属化学気相成長法(MOCVD)で成長させたウルツ鉱型Cd_xZn_1-xO(x≦0.05)の薄膜に150keVのEr⁺イオンと200keVのAu⁺を広い線量範囲で室温注入した。損傷蓄積をRutherford後方散乱/チャネリング分光法により調べた。膜の組成はMgZnO及びCdZnOの損傷蓄積に劇的に影響した。特に,MgZnO中のMg含有率が増すと,塊と表面の損傷ピークの間の領域における損傷蓄積が増大し,純ZnOとは特徴的に区別できた。しかし,純ZnO及びMgZnO層中の全体の損傷蓄積はイオン線量の増加と共に飽和し,用いた最大イオン線量(3×10¹⁶Er/cm²)でもMgZnOは非晶質化できなかった。CdZnO中のCd含有率増加は損傷蓄積の飽和段階に影響し,Cd及びZn副格子の損傷生成が増した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *酸化亜鉛 ,  半導体材料 ,  *照射損傷 ,  MBE成長 ,  MOCVD ,  ウルツ鉱型結晶 ,  カドミウム化合物 ,  重イオン照射 ,  Rutherford散乱分光法 ,  イオンチャネリング ,  エルビウム ,  金 ,  マグネシウム化合物 ,  濃度依存性

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 重イオン ,  注入 ,  ZnO ,  酸化物 ,  損傷 ,  蓄積 ,  組成