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J-GLOBAL ID：201002283842521062   整理番号：10A0222657

ヨウ素充填スクッテルダイトI_0.9Rh₄Sb₁₂-最初のアニオン充填スクッテルダイト-の高圧合成,構造,および電気特性

High-Pressure Synthesis, Structure, and Electrical Property of Iodine-Filled Skutterudite I_0.9Rh₄Sb₁₂-First Anion-Filled Skutterudite

著者 (2件)： FUKUOKA Hiroshi (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  YAMANAKA Shoji (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 22  号： 1  ページ： 47-51  発行年： 2010年01月12日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固相反応(5~12GPa,850°C)によりヨウ素含有スクッテルダイトI_0.9Rh₄Sb₁₂を合成した。粉末X線回折/Rietveld法により空間群Im-3のヨウ素アニオン充填スクッテルダイト構造を確かめた。X線光電子スペクトルからヨウ素はアニオンI^-である。電気抵抗は9.9mΩ(300K)で半金属性である。室温~2Kで非磁性体である。Fermi準位の状態密度計算からRh-p,Rh-d,Sb-p軌道準位を含むバンド構造を推定した。

シソーラス用語： *アンチモン化合物 ,  *ロジウム化合物 ,  *ヨウ素化合物 ,  化学合成 ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  Rietveld法 ,  X線光電子スペクトル ,  Fermi準位 ,  状態密度 ,  バンド構造 ,  *金属間化合物 ,  包接化合物 ,  ホスト-ゲスト化合物
準シソーラス用語： *スクッテルダイト ,  高圧合成 ,  粉末X線回折

分類 (3件)： 金属の結晶構造  (BK06000V) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヨウ素 ,  充填スクッテルダイト ,  アニオン ,  高圧合成 ,  電気特性