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J-GLOBAL ID：201002284197222167   整理番号：10A1467887

AlN結晶の昇華成長におけるAlN層の成長速度に対する反応炉内の窒素圧依存性

Dependence of the Growth Rate of an AlN Layer on Nitrogen Pressure in a Reactor for Sublimation Growth of AlN Crystals

著者 (2件)： WOLFSON A. A. (Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  MOKHOV E. N. (Ioffe Physical Technical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 10  ページ： 1383-1385  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNのバルク結晶や厚膜を昇華サンドイッチ成長法によって成長させる場合における成長条件を解析するために,成長速度に対する反応炉内の窒素圧依存性を研究した結果を報告する。反応炉内の窒素圧を1~0.02バールの範囲で低下させると,層の成長速度は着実に増大することが分かった。このことは,層の成長カイネティックスは結晶の構成成分であるAlやNの基板への吸着より,むしろソースから基板への移送によって支配されることを示唆している。

シソーラス用語： 昇華 ,  再結晶 ,  *結晶成長 ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  晶析速度 ,  厚膜 ,  窒素 ,  圧力効果 ,  雰囲気 ,  反応器
準シソーラス用語： 圧力依存性

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlN ,  結晶 ,  昇華 ,  成長 ,  成長速度 ,  反応炉 ,  窒素 ,  圧 ,  依存性