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J-GLOBAL ID：201002284209118450   整理番号：10A1146194

高密度平面内の操作-CMPプロセスにおける平坦なウエハ表面と均一な金属厚みの達成

Navigating in the Density Plane-Achieving Flat Wafer Surface and Uniform Metal Thickness in CMP Processes

著者 (3件)： MELZNER Hanno (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  CUI Ning (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  POSTNIKOV Sergei (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU)
資料名： IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop  (IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 2010  ページ： 189-195  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0718A  ISSN： 1078-8743  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学機械研磨(CMP)が半導体製造における重要なプロセスに位置づけられ,Cuデュアルダマシンメタライゼーション製造にはほとんど必然的なまでに不可欠な技術とされてきた。この技術は理想に近いまでにあらゆる金属層についてチップとウエハの全面に平坦なウエハ表面と一様な金属層厚みとをつくりだしてきた。それでも,金属の密度と場合によってはほかのレイアウト属性がCMPに何らかの影響を及ぼし,満足できる結果を得るには入念な調整作業が欠かせない。研究を始めるにあたり,こうした変動要素について,一連の仮想テストチップを用いる入念な特性評価を計画した。そして,ウエハ表面の平坦度と金属厚みに関連する最善の結果を得るダミーメタル充填アルゴリズムを開発してその効果を立証しようと目論んだ。CMPモデルの属性とともに,プロセス設計ルールからの束縛条件,チップレイアウト,そして充填構造の電気的影響を考慮して検討した。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *化学研磨 ,  表面加工 ,  *ウエハ【IC】 ,  金属薄膜 ,  膜厚 ,  平坦性 ,  *マイクロマシニング ,  半導体チップ ,  テスト構造 ,  キャラクタリゼーション ,  化学機械研磨
準シソーラス用語： CMP【化学研磨】 ,  デュアルダマシン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMP ,  プロセス ,  ウエハ ,  厚み