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J-GLOBAL ID：201002284225563897   整理番号：10A1252618

複合(GaN,InN)ナノワイヤーの自己触媒そと特性評価

Self-catalytic growth and characterization of composite (GaN, InN) nanowires

著者 (6件)： KIM Hyoun Woo (Div. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yong Hyun Dong, Nam Gu, Incheon 402-751, KOR) ,  KIM Hyo Sung (Div. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yong Hyun Dong, Nam Gu, Incheon 402-751, KOR) ,  NA Han Gil (Div. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yong Hyun Dong, Nam Gu, Incheon 402-751, KOR) ,  YANG Ju Chan (Div. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yong Hyun Dong, Nam Gu, Incheon 402-751, KOR) ,  KIM Sang Sub (Div. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yong Hyun Dong, Nam Gu, Incheon 402-751, KOR) ,  LEE Chongmu (Div. of Materials Sci. and Engineering, Inha Univ., 253 Yong Hyun Dong, Nam Gu, Incheon 402-751, KOR)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 165  号： 2  ページ： 720-727  発行年： 2010年12月01日 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNとInNから成る複合ナノワイヤーをGaNとIn粉末の混合物を加熱することにより合成した。チップナノ粒子もGaNとInN相を含み,そこではInNが600°Cという低成長温度で有利であった。関連成長機構は自己触媒的蒸気-固体-液体プロセスを含み,そこではナノワイヤーの先端に位置する複合ナノ粒子が触媒として作用した。ラマン及びフォトルミネッセンススペクトルの両方はGaN-及びInN-関連ピークを示し,それはX線回折及び透過電子顕微鏡データと一致した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノ複合材料 ,  *ナノワイヤ ,  *自触媒作用 ,  固相成長 ,  *キャラクタリゼーション ,  *窒化ガリウム ,  *窒化インジウム ,  インジウム ,  金属粉末 ,  混合物 ,  加熱 ,  化学合成 ,  ナノ粒子 ,  機構 ,  触媒活性 ,  Ramanスペクトル ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡

分類 (2件)： 反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  InN ,  ナノワイヤー ,  自己触媒 ,  特性評価