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J-GLOBAL ID：201002284292845104   整理番号：10A0732231

GaN基板からの紫外誘起電荷移動による自己集合有機単分子層の光触媒開裂

Photocatalytic Cleavage of Self-Assembled Organic Monolayers by UV-Induced Charge Transfer from GaN Substrates

著者 (10件)： HOWGATE John (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  SCHOELL Sebastian J. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  HOEB Marco (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  STEINS Wiebke (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  BAUR Barbara (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  HERTRICH Samira (Ludwig Maximilians-Univ. Geschwister-Scholl-Platz 1, Muenchen, DEU) ,  NICKEL Bert (Ludwig Maximilians-Univ. Geschwister-Scholl-Platz 1, Muenchen, DEU) ,  SHARP Ian D. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  STUTZMANN Martin (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  EICKHOFF Martin (Justus-Liebig-Univ. Giessen, Giessen, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 24  ページ： 2632-2636  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-型GaNおよびp-型SiC基板上にn-オクタデシルトリメトキシシラン(ODS)自己集合単分子層(SAM)を作製し,低圧水銀ランプで照射した。水接触角測定法,接触電位差/表面光起電力測定法,ATR-FTIR分光法,X線反射法,X線光電子分光法および過渡紫外脱着分光法によってODSの変化を調べた。n-GaNの場合,紫外誘起電荷移動によってODSアルキル基がカチオンに酸化されることを示し,n-GaN基板表面の電子状態と光触媒反応との関係を考察した。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  炭化ケイ素 ,  *電子移動 ,  自己組織系 ,  単分子層 ,  光触媒 ,  電子状態
準シソーラス用語： *光誘起電子移動 ,  自己集合単分子層

分類 (3件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  固-気界面一般  (CB12041H) ,  有機けい素化合物  (CF08030C)

物質索引 (1件)： オクタデシルトリメトキシシラン

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  誘起 ,  電荷移動 ,  自己集合 ,  単分子層 ,  光触媒 ,  開裂