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J-GLOBAL ID：201002284370526959   整理番号：10A0861603

電界放出陰極にダイヤモンドライクカーボン膜を成膜するための電気的条件

Electrical conditioning of diamond-like carbon films for the formation of coated field emission cathodes

著者 (5件)： SEMENENKO M. (V.Ye. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics of the National Acad. of Sciences of Ukraine. 45, pr. Nauki, 03028 ...) ,  OKREPKA G. (V.Ye. Lashkaryov Inst. of Semiconductor Physics of the National Acad. of Sciences of Ukraine. 45, pr. Nauki, 03028 ...) ,  YILMAZOGLU O. (Dep. of High Frequency Electronics, Technische Universiteat Darmstadt, 64283, Darmstadt, DEU) ,  HARTNAGEL H.l. (Dep. of High Frequency Electronics, Technische Universiteat Darmstadt, 64283, Darmstadt, DEU) ,  PAVLIDIS D. (Dep. of High Frequency Electronics, Technische Universiteat Darmstadt, 64283, Darmstadt, DEU)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 257  号： 2  ページ： 388-392  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援化学気相堆積によって,ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜を異なった基板に堆積し,調査した。結合状態と膜質をFT-IR分光法によって特性化した。sp²/sp³比および,CH_n結合濃度に及ぼすプラズマ出力と堆積時間の影響を調査した。ダイヤモンドライクカーボン膜における伝導チャネルの形成プロセスに及ぼすsp²/sp³比の影響を,電気絶縁破壊の結果から調査した。sp²/sp³比の初期値が0.16より大きいダイヤモンドライクカーボン膜における電気絶縁破壊後の電気伝導度は,(電圧に対して)再現性のある増加を観測した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *DLC膜 ,  *プラズマCVD ,  *電界放出 ,  赤外吸収スペクトル ,  出力 ,  *電気伝導率 ,  時間依存性 ,  *絶縁破壊
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,  プラズマ出力 ,  電気絶縁破壊

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界放出 ,  陰極 ,  ダイヤモンドライクカーボン ,  成膜