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J-GLOBAL ID：201002284385426713   整理番号：10A0389054

半水素化SiCシートの強磁性および反強磁性特性

Ferromagnetic and antiferromagnetic properties of the semihydrogenated SiC sheet

著者 (5件)： XU B. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  YIN J. (Dep. of Physics and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing, Jiangsu 210093, CHN) ,  XIA Y. D. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...) ,  WAN X. G. (Dep. of Physics and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing, Jiangsu 210093, CHN) ,  LIU Z. G. (Dep. of Materials Sci. and Engineering and National Lab. of Solid State Microstructures, Nanjing Univ., Nanjing ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 14  ページ： 143111  発行年： 2010年04月05日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半水素化SiCシートの興味ある電子的特性と磁気的特性を第1原理計算によって調べた。半水素化SiCシートは,Si原子が水素化したときは強磁性半導体になり,C原子が水素化したときは反強磁性半導体になるというさまざまの電子的および磁気的特性を示した。水素化したC原子を持つ半水素化SiCシートは,水素化したSi原子を持つシートより安定していることが分かった。それゆえ,異なった原子位置での水素化を制御することは,半水素化SiCシートの電子的および磁気的特性を正確に調整することができ,将来の機能的ナノ素子での応用の大きな可能性を半水素化SiCシートに賦与した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *水素化 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  薄板 ,  強磁性半導体 ,  *第一原理 ,  *磁性半導体
準シソーラス用語： *半水素化 ,  反強磁性半導体

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化 ,  SiC ,  強磁性 ,  反強磁性