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J-GLOBAL ID：201002284394821242   整理番号：10A1004493

反応性スパッタ法によるInON薄膜の作製とその特性

著者 (1件)： 笹岡敬 (群馬大)
資料名： 群馬大学アドバンスト・テクノロジー高度研究センター年報  (Annual Report of GU-ATEC)
号： 14  ページ： 42-43  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： L6814A  資料種別： 年次報告 (Y)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： スパッタ雰囲気中に積極的に酸素を導入することで,InN作製条件とInON発光特性の関係を調べ,スパッタ中の基板の加熱による試料特性の変化を調べた。スパッタリング条件として,ターゲットをIn金属とし,スパッタ雰囲気をN₂+O₂の混合ガスとし,反応性スパッタ法によりp形Si(100)基板およびガラス基板上に成膜した。また,基板を加熱する場合は300°Cとし,スパッタ圧は0.27Pa,スパッタ電力は50Wとした。作製した試料について,光吸収測定,XRD測定,PL測定により光学的特性および構造を評価した。また,この試料をさらにアニールして,同様の評価を行った。

シソーラス用語： *反応性スパッタリング ,  インジウム化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  半導体薄膜 ,  *化合物半導体 ,  *薄膜成長 ,  X線回折 ,  焼なまし ,  時間依存性 ,  光吸収 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 酸化物半導体

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 反応性スパッタ法 ,  薄膜 ,  作製