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J-GLOBAL ID：201002284518681096   整理番号：10A0587292

金属量子点接触に基づく多準位原子スケールトランジスタ

Multilevel Atomic-Scale Transistors Based on Metallic Quantum Point Contacts

著者 (8件)： XIE Fangqing (Univ. Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  MAUL Robert (Forschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  OBERMAIR Christian (Univ. Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  WENZEL Wolfgang (Forschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  SCHOEN Gerd (Forschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  SCHOEN Gerd (Univ. Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  SCHIMMEL Thomas (Forschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU) ,  SCHIMMEL Thomas (Univ. Karlsruhe, Karlsruhe, DEU)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 22  号： 18  ページ： 2033-2036  発行年： 2010年05月11日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板表面に作製した二個の微小金電極(ソース,ドレイン)を銀の電着により数百原子レベルで点接触させ,電解質溶液中でゲート電極から計算機制御により電圧を繰返し印加して電着/電解溶出の反復処理を行うことにより二種の量子化された状態間のコンダクタンスの双安定またはマルチレベルでのスイッチングが可能な原子スケールトランジスタを作製した。動作例を示した。電極間距離および反応座標の選択により動作特性が選定できる。原子レベルのマルチレベル論理素子への応用を示唆した。

シソーラス用語： 金電極 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  *点接触 ,  銀 ,  電着 ,  電解質溶液 ,  電極 ,  計算制御 ,  量子化 ,  *コンダクタンス ,  双安定性 ,  論理素子 ,  *トランジスタ ,  *ヘテロ接合
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  *マルチレベル ,  超微細構造 ,  動作特性

分類 (4件)： その他の接合  (BM03088W) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子点接触 ,  原子スケール ,  トランジスタ