文献

J-GLOBAL ID：201002284771582576   整理番号：10A0328527

ナノ結晶β-SiC膜のスパッタ蒸着とスパッタープロセスの分子動力学シミュレーション

Sputter Deposition of Nanocrystalline β-SiC Films and Molecular Dynamics Simulations of the Sputter Process

著者 (5件)： ZIEBERT Carlos (Karlsruhe Inst. Technol., Eggenstein-Leopoldshafen, DEU) ,  YE Jian (Karlsruhe Inst. Technol., Eggenstein-Leopoldshafen, DEU) ,  ULRICH Sven (Karlsruhe Inst. Technol., Eggenstein-Leopoldshafen, DEU) ,  PRSKALO Alen-Pilip (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU) ,  SCHMAUDER Siegfried (Univ. Stuttgart, Stuttgart, DEU)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 10  号： 2  ページ： 1120-1128  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純Ar雰囲気中Si基板上SiC膜を高周波スパッタリングにより,蒸着させた。同時に古典的な分子動力学(MD)によりAr原子によるスパッタリングを計算機シミュレーションした。基板温度900°Cでバイアス電圧を0~40Vに変化させ。また基板温度を100~900°Cに変化させた。膜をXRD,AFM,EPMA,Raman分光法により特性評価し,Young率と微小硬さを測定した。入射Arエネルギー(50-1000ev)の関数として,スパッター収率を測定し,実験結果と比較し,合理的に良好な一致が得られた。バイアス電圧-10V,基板温度900°Cで得られたβSiC薄膜の硬さは36GPaであり,残留圧縮応力は-2.2GPaであった。

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  *スパッタ蒸着 ,  *分子動力学 ,  計算機シミュレーション ,  アルゴン ,  バイアス ,  基板温度 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  電子プローブX線分析 ,  *Young率 ,  *微小硬さ
準シソーラス用語： EPMA【表面分析】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノ結晶 ,  スパッタ蒸着 ,  スパッター ,  プロセス ,  分子動力学シミュレーション