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J-GLOBAL ID：201002284862089660   整理番号：10A1539052

ゲルマニウム金属-酸化物-半導体デバイスのパッシベーション用にその場NH₃プラズマ処理により形成した超薄GeO_xN_y界面層

Ultrathin GeO_xN_y interlayer formed by in situ NH₃ plasma pretreatment for passivation of germanium metal-oxide-semiconductor devices

著者 (10件)： XIE Qi (Dep. of Solid State Sci., Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, B-9000 Ghent, BEL) ,  MUSSCHOOT Jan (Dep. of Solid State Sci., Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, B-9000 Ghent, BEL) ,  SCHAEKERS Marc (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  CAYMAX Matty (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  DELABIE Annelies (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, BEL) ,  QU Xin-ping (Dep. of Microelectronics, State Key Lab. of ASIC and System, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  JIANG Yu-long (Dep. of Microelectronics, State Key Lab. of ASIC and System, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  VAN DEN BERGHE Sven (SCK-CEN, Boeretang 200, B-2400 Mol, BEL) ,  LIU Junhu (SCK-CEN, Boeretang 200, B-2400 Mol, BEL) ,  DETAVERNIER Christophe (Dep. of Solid State Sci., Ghent Univ., Krijgslaan 281/S1, B-9000 Ghent, BEL)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 22  ページ： 222902  発行年： 2010年11月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p及びn型Ge(100)両ウエハの250°Cでのその場NH₃プラズマ表面窒化処理を調べた。高品位の超薄GeO_xN_y界面層が形成されて,15MV/cm以下の電場で絶縁破壊をした。HfO₂(3nm)/GeO_xN_y(1nm)ゲートスタックの相補金属-酸化物-半導体キャパシタ(CMOSCATs)で形状が良い容量-電圧特性が得られた。ゲート漏れ電流密度は酸化物換算厚み1.1nmの両MOSCATsに対してV_FB=1Vで5×10^-7A/cm²以下であった。CMOSCATsの有望な電気特性は,その場NH₃プラズマ処理で形成されたGeO_xN_y界面層におけるGer界面のパッシベーションが効果的であるのを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOS集積回路 ,  ゲート【半導体】 ,  絶縁膜 ,  酸化ハフニウム ,  *基板 ,  *ゲルマニウム ,  *不動態化 ,  プラズマ処理 ,  表面処理 ,  ゲルマニウム化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  超薄膜 ,  MOS構造 ,  絶縁破壊 ,  薄膜コンデンサ ,  容量電圧特性 ,  周波数依存性 ,  漏れ電流 ,  膜厚 ,  境界層 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： *パッシベーション ,  酸化物換算厚み ,  界面層

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： アンモニウム

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲルマニウム ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  パッシベーション ,  NH3 ,  プラズマ処理 ,  界面層