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J-GLOBAL ID：201002285010188218   整理番号：10A0778813

原子レベルで精密なボトムアップ式グラフェンナノリボン作製

Atomically precise bottom-up fabrication of graphene nanoribbons

著者 (14件)： CAI Jinming ,  RUFFIEUX Pascal ,  JAAFAR Rached ,  BIERI Marco ,  BRAUN Thomas ,  BLANKENBURG Stephan ,  FASEL Roman ,  MUOTH Matthias (ETH Zurich, Zurich, CHE) ,  SEITSONEN Ari P. (Univ. Zurich, Zurich, CHE) ,  SEITSONEN Ari P. (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  SALEH Moussa (Max Planck Inst. for Polymer Res., Mainz, DEU) ,  FENG Xinliang (Max Planck Inst. for Polymer Res., Mainz, DEU) ,  MUELLEN Klaus (Max Planck Inst. for Polymer Res., Mainz, DEU) ,  FASEL Roman (Univ. Bern, Bern, CHE)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 466  号： 7305  ページ： 470-473  発行年： 2010年07月22日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンナノリボンは,端が直線状の細長いグラフェン(単層グラファイト)であり,ナノスケール電子デバイス作製に非常に適した電子特性を示すと予想されている。特に,親材料である二次元的なグラフェンは半金属的挙動を示すが,量子閉じ込め効果とエッジ効果によって,幅が10nmより狭いグラフェンナノリボンはすべて半導体になるはずである。しかし,グラフェンナノリボンは作製が難しいため,その可能性の探求は進んでいない。これまでに化学的方法,音響化学的方法,リソグラフィー法や,カーボンナノチューブの切り開きによってグラフェンナノリボンが作製されてきたが,化学的精密さで10nmより細いグラフェンナノリボンを高い信頼性で作製することは,依然として相当な難問である。今回我々は,さまざまなトポロジーと幅をもつ原子レベル精密なグラフェンナノリボンを作製する簡便な方法について報告する。この方法では,表面によって促進される分子前駆体の結合を使って,直線状のポリフェニレンを形成した後,脱水素環化を行う。グラフェンナノリボン生成物のトポロジー,幅,端周辺は前駆体モノマーの構造によって決まり,モノマーはさまざまなグラフェンナノリボンを得られるように設計可能である。グラフェンナノリボンを原子レベルの精密さでボトムアップ式に作製する我々の方法によって,最終的には,このおもしろい材料群の特性を詳しく実験的に研究できるようになるだろう。また,この方法によって,理論的に予測されているリボン内量子ドットや超格子構造体,グラフェンナノリボンの特定の端状態を利用した磁気デバイスなど,化学的特性や電子的特性が調整されたグラフェンナノリボン構造体を作製する手段も得られると考えられる。Copyright Nature Publishing Group 2010

シソーラス用語： *グラファイト ,  *ナノ構造 ,  *量子閉込め ,  *縁効果 ,  *半導体 ,  幅 ,  ポリフェニレン ,  人工超格子 ,  量子ドット ,  *グラフェン
準シソーラス用語： エッジ効果 ,  ナノリボン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子 ,  ボトムアップ ,  グラフェンナノリボン ,  作製