文献
J-GLOBAL ID:201002285088780660   整理番号:10A0071505

ZnSe/GaAsデジタル合金を使用した真の緑色LEDおよび高効率太陽光発電のための設計のガイドライン

Design Guidelines for True Green LEDs and High Efficiency Photovoltaics Using ZnSe/GaAs Digital Alloys
著者 (5件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: H5-H7  発行年: 2010年 
JST資料番号: W1290A  ISSN: 1099-0062  CODEN: ESLEF6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
固体照明および高効率太陽光発電(PV)の分野では2.3~2.5eVのエネルギー領域を目標にできる材料系へのニーズがなおも存在していることに関連して,著者らは強束縛法を使用してZnSe/GaAs 超格子の有効バンドギャップを予測した。その計算によって,デジタル合金(DA)を使用した同じ材料系において,1.7~2.5eVの範囲のバンドギャップが得られる可能性が分かった。20層のZnSeの単分子層とそれに組み入れられた2層のGaAsの単分子層によって2.4eVよりも僅かに大きなバンドギャップが達成できた。それによって,2.3~2.5eV前後のスペクトルを目標とする太陽電池が可能になった。本研究で考察した変化および傾向によって,真の緑色LEDおよび高効率太陽光発電のための設計のガイドラインが提供されると考えられた。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
塩  ,  無機化合物の可視・紫外スペクトル  ,  発光素子  ,  太陽光発電  ,  その他の無機化合物の薄膜 

前のページに戻る