文献

J-GLOBAL ID：201002285107539317   整理番号：10A0654764

MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面

Surface morphology at initial growth stage of GaP grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (5件)： 高野泰 (静岡大 工) ,  山田洋毅 (静岡大 工) ,  見崎龍 (静岡大 工) ,  高木達也 (静岡大 工) ,  福家俊郎 (静岡大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 29(ED2010 17-32)  ページ： 75-79  発行年： 2010年05月06日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機金属気相成長法によりSi基板上にGaPを結晶成長させた。4°オフ基板上に700-830°CでGaPを成長させ,成長初期の表面モホロジーを原子間力顕微鏡で調べた。770°C以上で多数の結晶核が発生し,早期に島状成長から層状成長に遷移した。アンチフェイズドメイン(APD)はすべての試料に存在した。表面荒れの主因はAPDの存在であった。APDの割合は成長条件に依存した。800-830°Cの成長で,成長と共にAPDは自己消滅した。40nmの膜厚でシングルドメインのGaPが得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  ウエハ【IC】 ,  *リン化ガリウム ,  *結晶成長 ,  測定データ ,  表面構造 ,  *結晶核形成 ,  *層状組織 ,  分域 ,  *シリコンウエハ ,  *表面形態 ,  構造
準シソーラス用語： *アンチフェイズドメイン ,  *シリコン基板 ,  *表面モホロジー

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOVPE ,  成長 ,  シリコン基板 ,  GAP ,  初期