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J-GLOBAL ID：201002285168382992   整理番号：10A0796656

高Sn合金膜の結晶学的集合組織およびそれがウイスカ成長におよぼす影響に関するシンクロトロン放射光回折法を用いた研究

A Synchrotron Micro-Diffraction Investigation of Crystallographic Texture of High-Sn Alloy Films and its Effects on Whisker Growth

著者 (7件)： SAROBOL Pylin (Purdue Univ.) ,  PEDIGO Aaron (Purdue Univ.) ,  BLENDELL John (Purdue Univ.) ,  HANDWERKER Carol (Purdue Univ.) ,  SU Peng (Cisco Systems, Inc., CA) ,  LI Li (Cisco Systems, Inc., CA) ,  XUE Jie (Cisco Systems, Inc., CA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.1  ページ： 162-169  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sn,Sn-0.7Cu,Sn-0.7Cu-1.3Pb電解めっき膜について,(1)電流密度がめっき析出粒子の集合組織におよぼす影響,(2)ヒロックやウイスカ表面欠陥の成長速度の測定,(3)表面欠陥部のX線マイクロ回折法による分析,(4)粒子間の結晶方位の差異が応力ならびに歪みの分布におよぼす影響を,集合組織のFEMシミュレーション結果と併せて検討した。得られた結果は次の通りである。ウイスカ粒子の結晶方位は,膜全体の集合組織の方位と著しく異なり,時として隣接粒子に対して大きなミスオリエンテーション角度を示す。一方,ヒロックの結晶方位は,膜全体の集合組織の方位と一致する。Sn-0.7Cuは,SnとSn-0.7Cu-1.3Pbに比べて,ウイスカ/ヒロックの成長が著しい。これは,Sn-0.7Cuの歪みエネルギ密度(SED)が高いというFEMシミュレーション結果とよく一致する。また,シミュレーション結果から,電流密度がめっき膜の集合組織に大きな影響を与え,歪みが同じ条件下でも集合組織によっては高い応力を生じる場合があり,ウイスカが成長しやすくなることも明らかになった。

シソーラス用語： *スズ合金 ,  *電気めっき ,  *めっき皮膜 ,  *集合組織 ,  *ホイスカ ,  表面欠陥 ,  成長速度 ,  電子プローブX線分析 ,  *結晶方位 ,  配向 ,  銅合金 ,  シンクロトロン放射 ,  光回折 ,  電流密度
準シソーラス用語： ヒロック ,  ミスオリエンテーション

分類 (1件)： 電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (8件)： Sn合金 ,  結晶学 ,  集合組織 ,  ウイスカ ,  成長 ,  シンクロトロン放射光 ,  回折 ,  研究