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J-GLOBAL ID：201002285256101332   整理番号：10A0277659

半導体量子ドット中の励起子微細構造の理論 量子ドット異方性と横方向電場

Theory of exciton fine structure in semiconductor quantum dots: Quantum dot anisotropy and lateral electric field

著者 (2件)： KADANTSEV Eugene (National Res. Council, Ottawa, CAN) ,  HAWRYLAK Pawel (National Res. Council, Ottawa, CAN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 81  号： 4  ページ： 045311.1-045311.10  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *励起子 ,  *微細構造 ,  *量子ドット ,  異方性 ,  横方向 ,  *電場 ,  有効ハミルトニアン ,  電子正孔対 ,  交換相互作用 ,  遠距離相互作用 ,  スペクトル線分裂 ,  二次元 ,  閉込め ,  形状効果 ,  サイズ効果 ,  Coulomb相互作用 ,  有効質量 ,  調和振動子ポテンシャル ,  *摂動論
準シソーラス用語： *k・p近似 ,  行列要素 ,  包絡関数

分類 (1件)： 励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 半導体量子ドット ,  励起子 ,  微細構造 ,  理論 ,  量子ドット ,  異方性 ,  横方向 ,  電場