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J-GLOBAL ID：201002285287942270   整理番号：10A0952624

ZnSナノ結晶粒薄膜の結晶粒成長と構造変態

Grain growth and structural transformation in ZnS nanocrystalline thin films

著者 (6件)： PATEL Shiv P. (Physics Dep., Univ. of Allahabad, Allahabad-211002, IND) ,  PIVIN J.c. (CSNSM, IN2P3-CNRS, Batiment 108, F-91405 Orsay Campus, FRA) ,  SIVA KUMAR V.v. (Inter-University Accelerator Centre (IUAC), Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, IND) ,  TRIPATHI A. (Inter-University Accelerator Centre (IUAC), Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, IND) ,  KANJILAL D. (Inter-University Accelerator Centre (IUAC), Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110067, IND) ,  KUMAR Lokendra (Physics Dep., Univ. of Allahabad, Allahabad-211002, IND)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 85  号： 2  ページ： 307-311  発行年： 2010年08月20日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々な基板温度(T_S),例えば200°C, 300°C及び400°Cで似たような化学量論のZnS薄膜のRFマグネトロンスパッタリング法による作成を紹介した。200°CのT_Sの成長した膜は立方晶閃亜鉛鉱型相で,(111)面に沿ってテクスチャ化していた。300°Cと400°CのT_Sで蒸着した膜は六方晶ウルツ鉱型相であった。膜の表面粗さと結晶粒サイズはT_S上昇と共に増大した。紫外及び可視吸収研究により,T_Sを変化させると構造変態が起きて膜のバンドギャップが調整できることを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *硫化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  蒸着膜 ,  RFスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  化学量論 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  集合組織 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  表面粗さ ,  *結晶粒度 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  *多形転移 ,  バンドギャップ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnS ,  ナノ結晶 ,  薄膜 ,  結晶粒成長 ,  構造変態