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J-GLOBAL ID：201002285316791295   整理番号：10A1340653

高電力RF応用のためのCMOS積層折返し差動構造電力増幅器

CMOS Stacked Folded Differential Structure Power Amplifier for High Power RF Application

著者 (5件)： LUQUE Yohann (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  KERHERVE Eric (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  DELTIMPLE Nathalie (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  LEYSSENNE Laurent (Univ. Bordeaux, Talence, FRA) ,  BELOT Didier (STMicroelectronics, Grenoble, FRA)
資料名： International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering  (International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering)
巻： 20  号： 6  ページ： 611-618  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W0335A  ISSN： 1096-4290  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいCMOS PA(power amplifier)構造としてSFDS(stacked folded differential structre)とSTMicroelectronicsの0.13μm CMOS技術の高電力応用への可能性について報告した。この構造のPAにより1.95GHzで20%電力付加効率(PAE),最大出力電力23dBm,アイソレーション-38dBを示した。DAT(distributed active transfomer)によるPAと比較し,少ないシリコン領域で同等の電力性能を得た。

シソーラス用語： *電力増幅器 ,  *CMOS構造 ,  電力付加効率 ,  電力消費 ,  *アイソレーション【IC】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高電力 ,  RF ,  応用 ,  CMOS ,  折返し ,  差動 ,  電力増幅器