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J-GLOBAL ID：201002285324164151   整理番号：10A1119023

不揮発性集積回路用スピントロニクス型MOSFETの再構成可能性

Reconfigurable Characteristics of Spintronics-based MOSFETs for Nonvolatile Integrated Circuits

著者 (6件)： INOKUCHI Tomoaki (Toshiba Corp., Kawasaki-Shi, JPN) ,  MARUKAME Takao (Toshiba Corp., Kawasaki-Shi, JPN) ,  TANAMOTO Tetsufumi (Toshiba Corp., Kawasaki-Shi, JPN) ,  SUGIYAMA Hideyuki (Toshiba Corp., Kawasaki-Shi, JPN) ,  ISHIKAWA Mizue (Toshiba Corp., Kawasaki-Shi, JPN) ,  SAITO Yoshiaki (Toshiba Corp., Kawasaki-Shi, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2010  ページ： 93-94  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 読出し/書込み動作の先端アーキテクチャと新規のスピントロニクス型MOSFETであるスピン-転送-トルク-スイッチングMOSFET(STS-MOSFET)の大規模不揮発性集積回路への応用可能特性について調べた。このSTS-MOSFETの再構成可能性を輸送特性において実現することに成功した。動作モードに依存する接続構成を選択することにより,読出しと書込み特性(磁気電流比と書込み電圧)を最適化することができることを明らかにした。これらのアーキテクチャにより,10⁵サイクル以上の高耐久性不揮発性メモリとトランジスタ機能を実現することに成功した。また,大規模浮遊ゲートプログラマブルゲートアレイ(FPGA)の回路シミュレーションにより,STS-MOSFETは,クリティカルパス遅延と回路面積を大幅に向上可能であることを示した。これらの結果から,STS-MOSFETの総合特性は,CMOS技術と適合した将来の不揮発性再構成可能集積回路への応用可能性を示した。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *スピントロニクス ,  *MOSFET ,  可能性 ,  *再構成 ,  データ読取 ,  データ書込 ,  *回路シミュレーション ,  面積 ,  FPGA ,  クリニカルパス ,  トルク
準シソーラス用語： 再構成可能性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不揮発性 ,  集積回路 ,  スピントロニクス ,  MOSFET ,  再構成可能性