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J-GLOBAL ID:201002285342576491   整理番号:10A0489069

電気化学的方法で作製したn-ZnOナノロッド/p-CuSCNへテロ接合発光ダイオード

n-ZnO nanorods/p-CuSCN heterojunction light-emitting diodes fabricated by electrochemical method
著者 (7件):
資料名:
巻: 55  号: 17  ページ: 4889-4894  発行年: 2010年07月01日 
JST資料番号: B0535B  ISSN: 0013-4686  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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n-ZnOナノロッド/p-CuSCNへテロ接合発光ダイオード(LED)を低温電気化学法によって作製した。へテロ接合LEDのI-V特性によって,明らかな整流挙動が示された。そのヘテロ構造デバイスから,順方向バイアス下で得られた典型的室温エレクトロルミネセンススペクトルは,530nmを中心として350から600nmのスペクトル領域において強い可視発光を示した。バイアスの増大に従って,可視発光の強度は紫外発光のそれよりも一層速く増大した。光電流およびRamanスペクトルから,CuSCNの成長過程によって,ZnOナノロッドにおいて一層の表面状態および欠陥が誘起できることが明らかになり,それによって,ZnOナノロッド/p-CuSCNへテロ構造からの可視発光の増強が確認された。ZnOだけのLEDと比べて,正孔輸送材料として使用されたp-型CuSCN層はヘテロ接合LEDにおいて電子および正孔の注入速度を釣り合わせることができた。本研究における処理方法はZnOをベースとするヘテロ接合発光ダイオードの作製のために低温で行うことができ,低コストおよび便利な方法である。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
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塩基,金属酸化物  ,  電気化学一般  ,  発光素子  ,  表面の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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