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J-GLOBAL ID：201002285393958950   整理番号：10A0229935

a-Si:Hバッファ層を使ったシリコン太陽電池上の局所的な接触開口部用の損傷がないSiO₂のレーザアブレーション

Damage free laser ablation of SiO₂ for local contact opening on silicon solar cells using an a-Si:H buffer layer

著者 (3件)： MANGERSNES Krister (Inst. for Energy Technol., Dep. of Solar Energy, Instituttveien 18, 2007 Kjeller, NOR) ,  FOSS Sean Erik (Inst. for Energy Technol., Dep. of Solar Energy, Instituttveien 18, 2007 Kjeller, NOR) ,  THOGERSEN Annett (Inst. for Energy Technol., Dep. of Solar Energy, Instituttveien 18, 2007 Kjeller, NOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 4  ページ： 043518  発行年： 2010年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノ秒パルスでダイオードポンプした532nmのQスイッチNd:YVO₄レーザと,直径が40μmのスポットを使って,n型Czシリコン上にプラズマ増強化学蒸着(PECVD)SiO₂層をアブレートし,バック接合シリコン太陽電池上に局所的な接触開口を形成した。ns領域のレーザパルスは,このような長いパルスでは下地のシリコン格子を余りにも損傷を与えてしまうため,高効率の太陽電池のプロセシングとは合わないと通常考えられている。これは熱散逸から生じる。本研究では,n型シリコン層と誘電体層との間のa-Si:HのPECVD層が大量のレーザ光を吸収し,結晶性シリコンのアブレーション閾値より低いレーザフルエンスのアブレーションが可能になることを示した。また,a-Si:H層はシリコン基板に対して良好な表面不動態化層になる。結晶性Siをアブレートするのに必要なものより1/5の低いフルエンスにおいて,損傷がないやり方でPECVD SiO₂をアブレートできることを示した。我々の結果は,レーザ照射領域の結晶構造を高分解能の透過型電子顕微鏡法と,エミッタ飽和電流の準定常状態光コンダクタンス測定による実験で確かめた。また,532nmのGauss形レーザビームからSiO₂被覆Si格子へのエネルギー移動を,a-Si:Hバッファ層がある場合とない場合にシミュレートした。実験結果と非常に良く一致する模型を見いだした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アモルファスシリコン ,  *太陽電池 ,  二酸化ケイ素 ,  *レーザアブレーション ,  プラズマCVD ,  開口 ,  N型半導体 ,  ケイ素 ,  レーザ照射 ,  不動態化 ,  透過型電子顕微鏡

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  バッファ層 ,  シリコン太陽電池 ,  損傷 ,  SiO2 ,  レーザアブレーション