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J-GLOBAL ID：201002285530636272   整理番号：10A1323749

半導体素子のマルチフェロイック薄膜集積化

Multiferroic thin-film integration onto semiconductor devices

著者 (5件)： THOMAS Reji (Univ. Puerto Rico, PR, USA) ,  SCOTT J F (Univ. Puerto Rico, PR, USA) ,  SCOTT J F (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  BOSE Dwarka N (Univ. Puerto Rico, PR, USA) ,  KATIYAR Ram S (Univ. Puerto Rico, PR, USA)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 22  号： 42  ページ： 423201,1-17  発行年： 2010年10月27日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 磁気電気効果 ,  強誘電性 ,  強磁性 ,  反強磁性 ,  材料 ,  磁性薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  ビスマス化合物 ,  フェライト ,  鉄化合物 ,  マンガン酸塩 ,  イットリウム化合物 ,  半導体接合 ,  FET【トランジスタ】 ,  MRAM ,  FeRAM ,  *RAM【メモリ】
準シソーラス用語： *マルチフェロイック材料

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 半導体素子 ,  マルチフェロイック ,  薄膜 ,  集積化