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J-GLOBAL ID：201002285642337707   整理番号：10A0127898

ZnO微結晶の共鳴Raman散乱スペクトルの成長後熱アニーリングに伴う発展

Evolution of resonant Raman scattering spectra of ZnO crystallites upon post-growth thermal annealing

著者 (4件)： LIU H.f. (Inst. of Materials Res. and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Sciences, Technol. and Engineering), 3 Res. Link ...) ,  CHUA S.j. (Inst. of Materials Res. and Engineering (IMRE), A*STAR (Agency for Sciences, Technol. and Engineering), 3 Res. Link ...) ,  HU G.x. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP) ,  GONG H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Univ. of Singapore, Singapore 119260, SGP)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 4  ページ： 527-531  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは高周波マグネトロンスパッタリングによって成長させたZnOサブミクロン結晶の熱アニーリングの観測について報告する。試料のアニーリングに伴う,共鳴Raman散乱スペクトルにおける表面光学(SO)およびA₁(LO)フォノンは各々,青方および赤方シフトを示した。SOモードの青方シフトはA₁(LO)モードの強度低減と強い相関があるが,これは表面状態形成を介しての表面上および表面近傍欠陥によって生成する表面電場の低下を示している。光ルミネセンス測定は表面状態不動態化につながるZnO結晶性における欠陥消滅を示す一方,離軸X線回折マッピングではアニール誘起結晶再配向に起因したA₁(LO)モードにおける赤方シフトの証拠が得られた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *共鳴Ramanスペクトル ,  マグネトロンスパッタリング ,  光学モード ,  青方偏移 ,  赤方偏移 ,  表面欠陥 ,  表面準位 ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  フォノン ,  *微結晶 ,  *スパッタ蒸着 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  リン化インジウム ,  *RTA【熱処理】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： ZnO ,  微結晶 ,  共鳴Raman散乱 ,  スペクトル ,  成長 ,  熱アニーリング ,  発展