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J-GLOBAL ID：201002285654053933   整理番号：10A0291072

鉄添加によるn型ナノ規模MnSi_1.7膜調製

Preparation of n-type nano-scale MnSi_1.7 films by addition of iron

著者 (4件)： HOU Q.r. (Dep. of Physics, Tsinghua Univ., Hai Dian District, Beijing 100084, CHN) ,  ZHAO W. (Dep. of Physics, Tsinghua Univ., Hai Dian District, Beijing 100084, CHN) ,  CHEN Y.b. (Dep. of Physics, Tsinghua Univ., Hai Dian District, Beijing 100084, CHN) ,  HE Y.j. (Dep. of Physics, Tsinghua Univ., Hai Dian District, Beijing 100084, CHN)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 121  号： 1-2  ページ： 103-108  発行年： 2010年05月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 650°C下の二層Si/MnSi_x(x<1.7)アニーリングにより,厚さ約27nmのナノ規模でより高ケイ素含量のケイ化マンガン(MnSi_1.7)膜を調製した。熱アニーリング時間が25分の時,300~633Kで膜はp型である。熱アニーリング時間を65分まで増やすことで,室温付近で,膜は,なおp型だが,高温でn型に転移する。300と633Kの熱電気出力は各+116と-321μV・K^-1だった。膜への十分な鉄添加により,より小さな電気抵抗率を持つn型MnSi_1.7膜が得られた。熱電気出力は533kで-568μV・K^-1に達した。結果として,533K下のナノ規模n型MnSi_1.7膜の熱電気出力係数は3.6×10^-3W・m^-1・K^-2だった。この値は,p型バルクMnSi_1.7材料のものより大きかった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 熱起電力 ,  *ケイ化物 ,  *マンガン化合物 ,  ドーパント ,  *鉄化合物 ,  *薄膜 ,  アニーリング【現象】 ,  厚み ,  P型半導体 ,  *N型半導体 ,  相転移 ,  温度依存性 ,  電気抵抗率 ,  *ナノシート
準シソーラス用語： 熱電気出力 ,  *ナノ膜

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 鉄 ,  規模 ,  調製